IKW25N120T2FKSA1 英飛凌科技單 IGBT
英飛凌科技 IKW25N120T2FKSA1 單 IGBT
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規(guī)格參數
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 349 W |
| Switching Energy | 2.9mJ |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 120 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 27ns/265ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 195 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
IKW25N120T2FKSA1 英飛凌科技單 IGBT - 規(guī)格參數與選型指南
IKW25N120T2FKSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: Trench、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A。
IKW25N120T2FKSA1 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（349 W）、Switching Energy（2.9mJ）、Input Type（Standard）、Gate Charge（120 nC）、Td (on/off) @ 25°C（27ns/265ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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