IKD10N60RFATMA1 英飛凌科技單 IGBT
英飛凌科技 IKD10N60RFATMA1 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 150 W |
| Switching Energy | 190μJ (on), 160μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 64 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/168ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 26Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 72 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
IKD10N60RFATMA1 英飛凌科技單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IKD10N60RFATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 20 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A。
IKD10N60RFATMA1 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（150 W）、Switching Energy（190μJ (on), 160μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（64 nC）、Td (on/off) @ 25°C（12ns/168ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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