IRGS4B60KD1PBF 國(guó)際整流器單 IGBT
國(guó)際整流器 IRGS4B60KD1PBF 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 11 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 22 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Power - Max | 63 W |
| Switching Energy | 73μJ (on), 47μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 12 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/100ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 93 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK |
IRGS4B60KD1PBF 國(guó)際整流器單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IRGS4B60KD1PBF 是由 國(guó)際整流器 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IRGS4B60 - DISCRETE IGBT WITH AN。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 11 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 22 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A。
IRGS4B60KD1PBF 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（63 W）、Switching Energy（73μJ (on), 47μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（12 nC）、Td (on/off) @ 25°C（22ns/100ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
關(guān)于 國(guó)際整流器：International Rectifier（中文名：國(guó)際整流器），作為一家在電子元器件行業(yè)享有盛譽(yù)的品牌，憑借其深厚的技術(shù)積淀和卓越的產(chǎn)品性能，在全球范圍內(nèi)贏得了廣泛認(rèn)可。自創(chuàng)立以來(lái)，國(guó)際整流器始終專注于高端電源管理半導(dǎo)體和功率器件的研發(fā)、制造與銷售，為現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。其主營(yíng)產(chǎn)品類別涵蓋了功率 MOSFET、IGBT、二極管、整流器、電源管理 IC、模擬 IC 以及一系列高集成度的電源模塊等，這些**電子元件**構(gòu)成了各類電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分。
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