IXXN110N65B4H1 力特IGBT模塊
力特 IXXN110N65B4H1 IGBT模塊
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Configuration | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 215 A |
| Power - Max | 750 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 110A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50 μA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.65 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Supplier Device Package | SOT-227B |
IXXN110N65B4H1 力特IGBT模塊 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IXXN110N65B4H1 是由 力特 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: PT、Configuration: Single、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 215 A、Power - Max: 750 W。
IXXN110N65B4H1 共有 15 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（2.1V @ 15V, 110A）、Current - Collector Cutoff (Max)（50 μA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（3.65 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 力特：力特產(chǎn)品在利用電能的應(yīng)用中是至關(guān)重要的組件，從消費電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施。他們提供業(yè)界最廣泛和最深入的電路保護產(chǎn)品組合，同時在電源控制和傳感領(lǐng)域不斷擴展。作為其加速有機增長和戰(zhàn)略收購的企業(yè)戰(zhàn)略的一部分，他們正在擴展到相鄰市場。這些市場包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機電和溫度傳感器；以及提供安全控制和分配電能的產(chǎn)品。
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