FP50R07N2E4_B11 英飛凌科技IGBT模塊
英飛凌科技 FP50R07N2E4_B11 IGBT模塊
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Power - Max | 20 mW |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.1 nF @ 25 V |
| Input | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-ECONO2B |
FP50R07N2E4_B11 英飛凌科技IGBT模塊 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
FP50R07N2E4_B11 是由 英飛凌科技 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。FP50R07 - IGBT MODULE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Three Phase Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 70 A、Power - Max: 20 mW。
FP50R07N2E4_B11 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（1.95V @ 15V, 50A）、Current - Collector Cutoff (Max)（1 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（3.1 nF @ 25 V）、Input（Three Phase Bridge Rectifier）、NTC Thermistor（Yes） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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