EPC2036 意法半導體單 FET、MOSFET
意法半導體 EPC2036 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 1A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.91 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90 pF @ 50 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Package / Case | Die |
EPC2036 意法半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
EPC2036 是由 意法半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GANFET N-CH 100V 1.7A DIE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V。
EPC2036 共有 15 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（65mOhm @ 1A, 5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 600μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.91 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（+6V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（90 pF @ 50 V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領域的創(chuàng)新領導者，始終致力于推動電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強型氮化鎵硅基（eGaN?）場效應晶體管，成功地將GaN技術(shù)應用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍，為眾多尖端應用領域提供了卓越的解決方案。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導體代理商，專業(yè)供應EPC2036等單 FET、MOSFET 產(chǎn)品。如您需要EPC2036的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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