IRFI4019H-117P 國際整流器FET、MOSFET 陣列
國際整流器 IRFI4019H-117P FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 5.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810pF @ 25V |
| Power - Max | 18W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-5 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220-5 Full-Pak |
IRFI4019H-117P 國際整流器FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IRFI4019H-117P 是由 國際整流器 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。IRFI4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 150V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V。
IRFI4019H-117P 共有 14 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（4.9V @ 50μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（810pF @ 25V）、Power - Max（18W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
關(guān)于 國際整流器：International Rectifier（中文名：國際整流器），作為一家在電子元器件行業(yè)享有盛譽的品牌，憑借其深厚的技術(shù)積淀和卓越的產(chǎn)品性能，在全球范圍內(nèi)贏得了廣泛認可。自創(chuàng)立以來，國際整流器始終專注于高端電源管理半導(dǎo)體和功率器件的研發(fā)、制造與銷售，為現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展注入強大動力。其主營產(chǎn)品類別涵蓋了功率 MOSFET、IGBT、二極管、整流器、電源管理 IC、模擬 IC 以及一系列高集成度的電源模塊等，這些**電子元件**構(gòu)成了各類電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分。
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