IRF8915TRPBF 國(guó)際整流器FET、MOSFET 陣列
國(guó)際整流器 IRF8915TRPBF FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 10V |
| Power - Max | 2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
IRF8915TRPBF 國(guó)際整流器FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IRF8915TRPBF 是由 國(guó)際整流器 制造的 FET、MOSFET 陣列 類(lèi)電子元器件。HEXFET POWER MOSFET。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A。
IRF8915TRPBF 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（18.3mOhm @ 8.9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7.4nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（540pF @ 10V）、Power - Max（2W） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 國(guó)際整流器：International Rectifier（中文名：國(guó)際整流器），作為一家在電子元器件行業(yè)享有盛譽(yù)的品牌，憑借其深厚的技術(shù)積淀和卓越的產(chǎn)品性能，在全球范圍內(nèi)贏得了廣泛認(rèn)可。自創(chuàng)立以來(lái)，國(guó)際整流器始終專注于高端電源管理半導(dǎo)體和功率器件的研發(fā)、制造與銷(xiāo)售，為現(xiàn)代電子設(shè)備的發(fā)展注入強(qiáng)大動(dòng)力。其主營(yíng)產(chǎn)品類(lèi)別涵蓋了功率 MOSFET、IGBT、二極管、整流器、電源管理 IC、模擬 IC 以及一系列高集成度的電源模塊等，這些**電子元件**構(gòu)成了各類(lèi)電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵組成部分。
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