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BCR133E6327HTSA1 英飛凌科技單個預偏置雙極晶體管
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BCR133E6327HTSA1 英飛凌科技單個預偏置雙極晶體管

品牌:英飛凌科技 分類:單個預偏置雙極晶體管 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
¥2.66

英飛凌科技 BCR133E6327HTSA1 單個預偏置雙極晶體管

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規(guī)格參數

Product StatusLast Time Buy
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Frequency - Transition130 MHz
Power - Max200 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackagePG-SOT23

BCR133E6327HTSA1 英飛凌科技單個預偏置雙極晶體管 - 規(guī)格參數與選型指南

BCR133E6327HTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單個預偏置雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3。該器件的核心參數包括:Product Status: Last Time Buy、Transistor Type: NPN - Pre-Biased、Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V、Resistor - Base (R1): 10 kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms。

BCR133E6327HTSA1 共有 14 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce(30 @ 5mA, 5V)、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic(300mV @ 500μA, 10mA)、Current - Collector Cutoff (Max)(100nA (ICBO))、Frequency - Transition(130 MHz)、Power - Max(200 mW) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 英飛凌科技:**英飛凌科技(Infineon Technologies):驅動未來電子世界的核心力量**

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BCR133E6327HTSA1常見問題

BCR133E6327HTSA1的datasheet數據手冊在哪里下載?
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BCR133E6327HTSA1有現(xiàn)貨庫存嗎?哪里可以買BCR133E6327HTSA1?
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BCR133E6327HTSA1的規(guī)格參數有哪些?有哪些替代型號?
BCR133E6327HTSA1是英飛凌科技生產的單個預偏置雙極晶體管 產品,詳細規(guī)格參數請查看產品頁面的參數表格或下載datasheet數據手冊。如需了解BCR133E6327HTSA1的替代型號推薦和選型建議,請聯(lián)系深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司的技術團隊(SALES@LJQ.CC),我們將根據您的應用場景提供專業(yè)方案。
深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是英飛凌科技的代理商和供應商嗎?
是的,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是英飛凌科技代理商,專業(yè)供應BCR133E6327HTSA1等單個預偏置雙極晶體管 產品。我們提供BCR133E6327HTSA1現(xiàn)貨庫存、價格報價、datasheet數據手冊下載和技術支持等一站式服務,是您采購英飛凌科技 單個預偏置雙極晶體管 的可靠供應商。
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