PEMD20,115 恩智浦半導(dǎo)體雙極晶體管陣列，預(yù)偏置
恩智浦半導(dǎo)體 PEMD20,115 雙極晶體管陣列，預(yù)偏置
PEMD20,115是恩智浦半導(dǎo)體旗下的雙極晶體管陣列，預(yù)偏置 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供PEMD20,115現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)。我們可為您提供PEMD20,115 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢(xún)價(jià)，發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA |
| Frequency - Transition | - |
| Power - Max | 300mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
PEMD20,115 恩智浦半導(dǎo)體雙極晶體管陣列，預(yù)偏置 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
PEMD20,115 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 雙極晶體管陣列，預(yù)偏置 類(lèi)電子元器件。NOW NEXPERIA PEMD20 - SMALL SIGN。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)、Current - Collector (Ic) (Max): 100mA、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V、Resistor - Base (R1): 2.2kOhms、Resistor - Emitter Base (R2): 2.2kOhms。
PEMD20,115 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（30 @ 20mA, 5V）、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic（150mV @ 500μA, 10mA）、Current - Collector Cutoff (Max)（1μA）、Power - Max（300mW）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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